
Foton pronikne horní vrstvou polovodiče a když se v oblasti p-n přechodu se absorbuje, tak vygeneruje pár elektron – díra. Tímto procesem, kterému se říká vnitřní fotoefekt, vznikne elektrický fotoproud. Důležitou roli zde hraje i závislost absorpce na λ.

V praxi se ještě používají k detekci světla tzv. fotoodpory (např. selenové), u nichž absorbovaný foton sníží hodnotu jejich odporu (zvýší se počet vodivostních elektronů v materiálu fotoodporu).
Jaroslava Vávrová