Polovodičový laser
- Vnější napětí uvedené polarity způsobí, že se v opticky aktivní vrstvě krystalu GaAs nahromadí současně velké množství elektronů a děr (s dostatečně dlouhou dobou života), které spolu mohou rekombinovat převážně jen zářivými přechody.
- Zrcadlově upravené čelní plochy krystalu vytvářejí planparalelní optický rezonátor délky asi 1 mm. Ten zaručí, že při rekombinaci elektronů a děr vznikne stimilovaná emise fotonů.
- Vlnová délka emitovaného světla je z intervalu 700 až 900 nm podle obsahu Al.
- Na podobném principu pracují luminiscenční fotodiody (LED). Nemají rezonátor a elektrony a díry v aktivním prostředí téměř hned rekombinují.
Další informace:
Jaroslava Vávrová